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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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肖特基二極管
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功率三極管
小信號數(shù)字三極管
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IGBT汽車電子

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普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
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可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
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小信號數(shù)字三極管
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汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
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汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

用于伺服控制器、變頻器、工業(yè)電源的微溝槽IGBT

用于伺服控制器、變頻器、工業(yè)電源的微溝槽IGBT 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 TO-247 封裝 50A 650V IGBT單管,產(chǎn)品采用1.6um微溝槽工藝平臺，大大提高功率密度，具有較低的導(dǎo)通損耗及開關(guān)損耗，可適用于伺服控制器、變頻器、工業(yè)電源等中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 采用1.6um微溝槽工藝平臺；
2. 電壓等級為650V，電流等級為50A@Tc=100℃ ；
3. 低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；
4. 較強(qiáng)的短路能力

規(guī)格書

DGW50N65CTL2A

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