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小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
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MOSFET
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功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
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靜電保護(hù)二極管
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可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

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小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
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功率三極管

汽車電子小信號(hào)
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MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
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LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

用于光伏微逆變、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ MOSFET

用于光伏微逆變、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng),非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用深溝槽與多層外延技術(shù), 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)；
2.采用TOLL、TO-247封裝，適用于大功率應(yīng)用；
3.UIS能力強(qiáng), Qg與Rds參數(shù)更優(yōu)，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)

規(guī)格書

YJN48C60HJ YJT33C60HJ

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