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      1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET
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      新產(chǎn)品宣告

      產(chǎn)品介紹 2021年來PV逆變器市場進(jìn)入高速發(fā)展期,對(duì)碳化硅功率器件的需求迅速增大。碳化硅二極管和MOSFET應(yīng)用在諸如BOOST電路等應(yīng)用中,因?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料帶來的高頻特性,可以提高系統(tǒng)的開關(guān)頻率,從而可以優(yōu)化整個(gè)系統(tǒng)的能耗和體積。我司碳化硅 MOSFET為匹配PV、EV行業(yè)客戶需求,開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對(duì)標(biāo)行業(yè)最佳; 不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用,還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用,采用環(huán)保物料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      產(chǎn)品特點(diǎn) 1、耐高溫特性,工作溫度(150°C);單極性器件,開關(guān)速度快,損耗低,適用于高壓,高頻的應(yīng)用條件
      2、采用先進(jìn)的減薄工藝,使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性,減小器件能量損耗
      3、TO247AB,TO247-4L等多種封裝形式可選
      4、通過行業(yè)嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證,包括大批量的HTRB、HTGB測(cè)試和HV-H3TRB測(cè)試
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      YJD212040NCFG1 YJD212040NCTG1

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