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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管
焊接二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

SOD-123HE瞬態(tài)抑制二極管

SOD-123HE瞬態(tài)抑制二極管 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、超薄封裝外形，可應(yīng)用于小型化、薄型化電路；
2、封裝底面金屬散熱面大，散熱性能優(yōu)；
3、采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；
4、廣泛應(yīng)用于次級整流電路，轉(zhuǎn)換器，續(xù)流二極管，交/直流電源防護(hù)等；

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、散熱性能優(yōu)：背面Pad面積大，對比SOD-123FL/SMAF散熱路徑更改，由原來的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱，金屬散熱面積增大150%，瞬間的散熱性能更好，可以承受更大的能量沖擊，雷擊能力更強(qiáng)
2、封裝外形薄：比SOD-123FL封裝更薄，比SOD-123FL封裝厚度降低20%，與SMAF相比本體厚度降低30%，長度縮短20%，本體厚度減薄滿足封裝薄型化的發(fā)展趨勢

規(guī)格書

SM4FE SERIES SMFE SERIES

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